中国のカスタムメイド炭化ケイ素SiC単結晶基板4H-Nメーカー

SiC単結晶は、高い熱伝導率、高い飽和電子移動度、耐電圧破壊性など、多くの優れた特性を備えています。高周波、高出力、高温、耐放射線性の電子機器の製造に適しています。
  • 商品番号。:

    GS-C023
  • 支払い:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • 製品の起点:

    Anhui, China
  • 最大サイズ:

    Dia150mm
  • オリエンテーション:

    <0001>、<11-10>
  • パッケージ:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • 製品の詳細

  • プロセスフロー

  • 包装

  • 交通手段

  • よくある質問

SiC単結晶は、高い熱伝導率、高い飽和電子移動度、耐電圧破壊性など、多くの優れた特性を備えています。高周波、高出力、高温、耐放射線性の電子機器の製造に適しています。
主なパフォーマンスパラメータ
成長法
シード昇華法、PVT(物理蒸着)
結晶構造
6者
格子定数
a = 3。 08×c = 15。 08Ã…
密度
3.21 g / cm 3
方向
成長軸または偏差<0001>3.5º
バンドギャップ
3.26 eV(間接)
硬度
9.2(mohs)
熱伝導率@ 300K
5W / cm。 k
誘電率
および(11)=および(22)= 9。 66および(33)= 10。 33
サイズ
10x3、10x5、10x10、15x15、、20x15、20x20、
Dia2 "、Di3"、Dia4 "
厚さ
0.35mm、
研磨
片面または両面
結晶方位
<0001>±0。 5º
結晶面配向精度:
±0。 5 °
エッジの向きの精度:
2 °(特別な要件は1 °以内に達する可能性があります)
ベベルウェーハ
特定の要件に応じて、特定の角度(傾斜角1 ° -45 °)で傾斜したエッジ配向結晶面を持つウェーハを処理できます。
Ra :
≤5Ã…(5µm × 5µm)
パッケージ
クラス100クリーンバッグ、クラス1000スーパークリーンルーム

Q:あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q: 納期はどのくらいですか?
商品の在庫がある場合、通常3-5日です。
または、商品の在庫がない場合は7〜10日です。数量に応じて異なります。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも追加ですか?
はい、サンプルを無料で提供することはできますが、運賃はかかりません。
Q: あなたの支払い条件は何ですか?
支払い<= 5000USD、100%前払い。
Paymen> = 5000USD、事前に80%T / T、出荷前に残高。
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