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Semiconductor crystal

中国のカスタムメイドガリウムヒ素GaAs単結晶基板メーカー

GaAs CRYSTAL
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中国のカスタムメイドガリウムヒ素GaAs単結晶基板メーカー

お客様のニーズ、特殊な方向、素材のサイズに応じてカスタマイズできます

  • 商品番号。:

    GS-C027

  • 支払い:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • 製品の起点:

    Anhui, China

  • 最大サイズ:

    Dia100mm

  • オリエンテーション:

    <100>、<110>、<111>

  • パッケージ:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
お問い合わせ

  • 製品の詳細

  • プロセスフロー

  • 包装

  • 交通手段

  • よくある質問

主なパフォーマンスパラメータ

クリスタル
構造
結晶方位
融点
o C
密度
g / cm 3
禁止バンド幅
GaAs
キューブ
a = 5。 653 A
<100>
1238
5.31
1.424

単結晶

ドーピング

導電率タイプ

キャリア濃度cm-3

転位密度cm-2

成長法

標準基板（mm）

GaAs

Si

ドープされていない

N

> 5 × 10 17

<5 × 10 5

VGF

VB

2日目â€³× 0。 35mm

Dia3 "x0.35mm

Dia100 × 0。 65mm

結晶方位

（100）0 °Â±0。 5 °、<111>


（100）2 °Â±0。 <111> Aに向かって5 ° off


（100）15 °Â±0。 <111> Aに向かって5 ° off

サイズ（mm）

0 × 25 × 25。。 3 5mm、10 × 10 × 0。。 3 5mm、。 5 × 10 × 0。。 3 5mm、。 5.5 × × 0。。 3 5mm

お客様のニーズ、特殊な方向、素材のサイズに応じてカスタマイズできます

表面粗さ

表面粗さ（Ra）: <= 5A原子間力顕微鏡（AFM）テストレポートを提供できます

研磨

片面または両面

パッケージ

クラス100クリーンバッグ、クラス1000スーパークリーンルーム

Q:あなたは商社ですか、それともメーカーですか？
私たちは工場です。
Q: 納期はどのくらいですか？
商品の在庫がある場合、通常3-5日です。
または、商品の在庫がない場合は7〜10日です。数量に応じて異なります。
Q: サンプルを提供していますか？それは無料ですか、それとも追加ですか？
はい、サンプルを無料で提供することはできますが、運賃はかかりません。
Q: あなたの支払い条件は何ですか？
支払い<= 5000USD、100％前払い。
Paymen> = 5000USD、事前に80％T / T、出荷前に残高。
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