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2 " インチ窒化ガリウムGaN単結晶基板

GaN substrate
GaN substrate GaN substrate GaN substrate GaN substrate

2 " インチ窒化ガリウムGaN単結晶基板

HVPE の基板 ： HomoEpitaxy、GaN上のGaN.
均質性： 高品質、高コスト、困難な技術 （転位 103-106 / CM2）

  • 商品番号。:

    GS-C012

  • 支払い:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • 製品の起点:

    Anhui, China

  • 最大サイズ:

    Dia100mm

  • オリエンテーション:

    <0001>、<10-10>

  • パッケージ:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
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  • 包装

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  • よくある質問

2インチ自立 GaNウエハ仕様


項目

仕様

クリスタルスペシャリング

生産（出産）

研究（登録）

ダミー（デグレード）

CrystalType

SingleCrystal

オリエンテーション

（0 0 0 1） GAFACE

Cプレーン オフ角 軸

0.5° ±0.15°

Cプレーン オフ角 軸への角度

0° ±0.15°

（002）FWHM

at 100アークスコ

（102）FWHM

at 100アークスコ

LatticeradiusofCurvatun

> 10 M （測定 80％ XDiameter）




電化物価

ドーピング要素

常温抵抗（300K）

N型（シリコン）

≤0.02OHM-cm

UID

≤0.2ohm-cm

半絶縁体（カーボン）

> 1E8OHM-CM

SPOPESPECIFICATION

MAISLATRATERINTIONTATION

M面 （10-10）、±2°（ST）、±2° （

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