中国のカスタムメイドアンチモン化ガリウムGaSb単結晶基板メーカー

GaSb単結晶基板
GaSb単結晶は、さまざまな3成分および4成分のIII-V化合物固溶体の格子定数と一致し、バンドは0.8〜4です。 GaSbは基板材料として使用できるため、格子定数が3um広いスペクトル範囲特定の赤外線光ファイバー伝送に適したレーザーや検出器の準備に使用されるGaSbは、GaAsよりも格子制限された移動度が大きいと予測されています。マイクロ波デバイスの製造における潜在的なアプリケーションの見通し。 GaS単結晶材料の主な成長方法には、従来の液体シールチョクラルスキー技術（LEC）、改良されたLEC技術、移動加熱法/垂直勾配凝固技術（VGF）/垂直ブリッジマンが含まれます。

クリスタル	構造	結晶方位	融点 o C	密度 g / cm 3	禁止バンド幅
GaSb	キュービック a = 6。 094A	<100>	712	5.53	0.67

主なパフォーマンスパラメータ
単結晶	ドーピング	導電率タイプ		キャリア濃度 cm -3	移動度（cm 2 / Vs）	転位密度（cm -2）	標準基板
GaSb	本質的	P		（1-2）* 10 17	600-700	《1* 10 4	Φ2â€³× 0。 5mm Φ3â€³× 0。 5mm
GaSb	Zn	P		（5-100）* 10 17	200-500	《1* 10 4	Φ2â€³× 0。 5mm Φ3â€³× 0。 5mm
GaSb	Te	N		（1-20）´10 17	2000-3500	《1* 10 4	Φ2â€³× 0。 5mm Φ3â€³× 0。 5mm
サイズ（mm）			Dia50。 8x0。 5mm、10 × 10 × 0。 5mm、10:6 ° 6:0。 5mmは、お客様のニーズ、特殊な方向、および基板のサイズに応じてカスタマイズできます
表面粗さ			表面粗さ（Ra）: <= 5A 原子間力顕微鏡（AFM）テストレポートを提供できます
研磨			片面または両面
梱包			クラス100クリーンバッグ、クラス1000スーパークリーンルーム