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よくある質問
窒化アルミニウムセラミック基板（AlN）
AlNセラミック基板は、高熱伝導率（理論値は319W / mK、市販のAlN基板熱伝導率は140W / mk以上）、低誘電率（8.8）、誘電損失（〜 4×104）、およびシリコンと一致する熱膨張係数（4.4×10-4 / ℃）、化学組成AI 65.81％、N 34.19％、比重3.261g / cm3、白またはオフホワイト、無色および透明単結晶の場合、常圧下での昇華分解温度は2450 ℃です. .
窒化アルミニウムセラミック基板、高熱伝導率、良好な電気性能、Siウェーハに近い熱膨張係数、高強度、高温耐性、耐薬品性、高抵抗率、低誘電損失、無毒性、代替品です. BeOセラミック理想的な材料は、理想的な大規模集積回路の熱放散基板およびパッケージ材料です.
主な用途：高密度ハイブリッド回路、マイクロ波パワーデバイス、パワーエレクトロニクスデバイス、オプトエレクトロニクスコンポーネント、半導体、および通信デバイスで広く使用されている高性能冷凍基板材料とカプセル化材料で作られたその他の製品、高輝度、電力のLEDエレクトロニクスおよびその他の産業.
の主なパフォーマンスインデックス AlN（ 窒化アルミニウム) セラミック基板 | |
パフォーマンスコンテンツ | パフォーマンス |
かさ密度（g / cm3) | 3.335 |
耐熱衝撃性 | ひび割れ、破裂なし |
熱伝導率（30 ℃、W / mk） | ≥170 |
膨張係数（/ ℃、5 ℃ / min、20-300 ℃） | 2.805×10-6 |
曲げ強度（MPa） | 382.7 |
体積抵抗率（Ω.cm） | 1.4×1014 |
誘電率（1MHz） | 8.56 |
化学的安定性（mg / cm2) | 0.97 |
破壊強度（KV / mm） | 18.45 |
表面粗さ（μm） | 0.3〜0.5 |
反り（長さ‰） | ≤2‰ |
エクステリアカラー | 濃い、きめの細かい/ダークグレー |
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