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材料工場PMN-PTPMNT中国の光電単結晶基板メーカー

PMN-PT CRYSTAL
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材料工場PMN-PTPMNT中国の光電単結晶基板メーカー

PMNTとPIMNTは、次世代の高性能オプトエレクトロニクス材料です.

  • 商品番号。:

    GS-C041

  • 支払い:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • 製品の起点:

    Anhui, China

  • 最大サイズ:

    20*20mm

  • オリエンテーション:

    <100>、<110>、<111>

  • パッケージ:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
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  • 製品の詳細

  • 仕様

  • プロセスフロー

  • 包装

  • 交通手段

  • よくある質問

PMNTとPIMNTは、圧電特性を備えた次世代の高性能オプトエレクトロニクス材料です：d33> 2000PC / N、k33> 92％.
応用分野：圧電材料は超音波トランスデューサーのトランスデューサー要素であり、産業、農業、輸送、生命、医療、軍事などの多くの分野で広く使用されています.
技術的特徴：新しいタイプの超音波トランスデューサーを準備するために優れた性能を備えた緩和強誘電性単結晶を使用すると、トランスデューサーの感度と帯域幅を大幅に改善でき、超音波イメージングの品質を向上させるのに役立ちます.
性能指標：開発された製品の相転移温度と保磁力が増加し、リラクサー強誘電性結晶の温度適用範囲が拡大し、デバイスを強磁場で使用できるようになります.電気機械結合係数k33は0.94と高いです.電界誘起ひずみS> 1.7％;圧電係数d33はPZTの約4〜5倍であり、誘電損失は1〜3倍低くなっています.
現段階：大型、高品質、高性能の緩和強誘電体結晶PIMNTを成長させるための完全なプロセスを備えており、用途に応じてさまざまなサイズ（2インチ、3インチ、4インチ）の大規模な単一ウェーハを提供できます.要件.

PMNT

PIMNT

成長法

ブリッジマン法

ブリッジマン法

密度（g / cm3）

8.1

8.1

構造、ユニットセル定数

カルテット（偽の立方体）、a = 4.024A

カルテット（偽の立方体）a = 4.024A

キュリー温度

135-150

160-220

圧電係数（Pc / N）

TypeA-d 33

TypeB-d 33

TypeC-d 33

1200-1500
1500-2000
2000-2500

1200-1500
1500-2000
2000-2500

誘電率

4000-5500

4000-5500

最大サイズ

4インチ

4インチ



Q:あなたは商社ですか、それともメーカーですか？
私たちは工場です.
Q: 納期はどのくらいですか？
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または、商品の在庫がない場合は7〜10日で、数量に応じて異なります.
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Crystal plant PMN-PT PMNT Photoelectric single crystal substrate manufacturer from China
PMNT and PIMNT are next-generation high-performance optoelectronic materials
jasmine Essential Oil cas:8022-96-6
The factory to provide CAS 8022-96-6 JasMine Oil
Appearance:Brownish red to yellow transparent flowing liquid
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