商品番号。:
GS-L006支払い:
L/C、 Western Union、 D/P、 T/T製品の起点:
Anhui, China最大サイズ:
Dia40mmオリエンテーション:
<100>、<110>、<111>パッケージ:
100 clean bag,1000 exactly clean bag製品の詳細
仕様
プロセスフロー
包装
交通手段
よくある質問
Ndドープバナジン酸イットリウム(Nd:YVO4)は、現在の市販のレーザー結晶の中で、特に低出力から中出力のダイオードポンピングに最も効率的なレーザーホスト結晶です.
ドーパント | 0.1%〜3% | オリエンテーション | A-CUT +/- 0.5 ° |
サイズ&公差 | W(+/- 0.1)* H(+/- 0.1)* L(+ 0.5 / -0.1)mm | ||
表面品質 | 10/5 | 垂直性 | ≤5 ' |
並列処理 | ≤10インチ | ベベル | <0.2mmx45 ° |
平坦度 | λ/ 10 @ 633nm | チップス | <0.1mm |
TWD | λ/ 6 @ 633nm | CA | ≥95% |
コーティング | C1 --- AR @ 1064(R <0.2%)C2 --- AR @ 1064(R <0.2%)& 532(R <0.5%)C3 --- AR @ 1064(R <0.2%)& 808(R <0.5%) C4 --- AR @ 1064(R <0.2%)& 532(R <0.5%)& 808(R <3%)C5 --- HR @ 1064(R> 99.8%)& HT @ 808( T> 95%) C6 --- HR @ 1064(R> 99.8%)& 532(R> 99.5%)& HT @ 808(T> 95%) | ||
P / N | ドーピング | カット角度 | サイズ(mm) | コーティング |
NYV-20-331-C6 / C2 | 2% | カット | 3x3x1 | S1:HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2:AR @ 1064 & 532nm |
NYV-10-332-C6 / C2 | 1% | カット | 3x3x2 | S1:HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2:AR @ 1064 & 532nm |
NYV-10-333-C6 / C2 | 1% | カット | 3x3x3 | S1:HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2:AR @ 1064 & 532nm |
NYV-07-333-C6 / C2 | 0.7% | カット | 3x3x3 | S1:HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2:AR @ 1064 & 532nm |
NYV-07-333-C4 / C2 | 0.7% | カット | 3x3x3 | S1:AR @ 1064 & 532 & 808nm S2:AR @ 1064 & 532nm |
NYV-07-335-C4 / C2 | 0.7% | カット | 3x3x5 | S1:HR @ 1064 & 532 & HT @ 808nm S2:AR @ 1064 & 532nm |
NYV-05-335-C5 / C1 | 0.5% | カット | 3x3x5 | S1:HR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-05-3310-C3 / C1 | 0.5% | カット | 3x3x10 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-03-3310-C3 / C1 | 0.3% | カット | 3x3x10 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-03-3312-C3 / C1 | 0.3% | カット | 3x3x12 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-027-3310-C3 / C1 | 0.27% | カット | 3x3x10 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-027-3312-C3 / C1 | 0.27% | カット | 3x3x12 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-02-3310-C3 / C1 | 0.2% | カット | 3x3x10 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |
NYV-02-3312-C3 / C1 | 0.2% | カット | 3x3x12 | S1:AR @ 1064 & 808nm S2:AR @ 1064nm |