カスタムメイド酸化亜鉛 ZnO 単結晶基板

ZnO 材料は直接バンドギャップワイドギャップ半導体材料です
  • 商品番号。:

    GS-C007
  • 支払い:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • 製品の起点:

    Anhui, China
  • 最大サイズ:

    25*25MM
  • オリエンテーション:

    <0001>、<1-100>、<11-20>
  • パッケージ:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • 製品の詳細

ZnO 材料は直接バンドギャップワイドギャップ半導体の一種です。 そのようなものです発光、電気光学、シンチレーション、半導体などの結晶。 ZnOの優れた基板材料、GaN エピタキシャルフィルムと 機器 短波長の開発可能性が高いLEDやLDSなどの装置は、GaN後の広いギャップ半導体の分野で別の研究ホットスポットとなっています。

純度 wt%

不純物: WT%

> 99.99
MG: <0.0005 Al: at 0030 SI: . 0.0030 TI: 0010 CU: at 0030 Fe: at 0.005 CA: <0.0005 Ag: at 0002

結晶構造

六角形: a = 3.252Å、C = 5.313Å

成長法

水熱

硬度

4 MOH 規模

密度

5.7 G / CM3

メルトポイント

1975年 OC

比熱

0.125 CAL / GM

熱電和

1200 MV / OK @ 300 OC

熱伝導率

0.006 CAL / CM / OK

熱膨張

2.90 X 10-6 / OK

伝送範囲

0.4 - 0.6 0.6 M > . 50% 2 mmで

転位密度

0001> 平面 <100 / CM2

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