中国ã®çª’化ガリウムガンå˜çµæ™¶åŸºæ¿ãƒ¡ãƒ¼ã‚«ãƒ¼

HVPEã®åŸºè³ªã¯æ¬¡ã®ã¨ãŠã‚Šã§ã™ã€‚ホモエピタキシー,ガンオンガン
å‡è³ªæ€§ï¼šé«˜å“質,高コスト,難ã—ã„æŠ€è¡“ï¼ˆè»¢ä½103-106 / cm2)
  • 商å“番å·ã€‚:

    GS-C012
  • 支払ã„:

    L/C〠Western Union〠D/P〠T/T
  • 製å“ã®èµ·ç‚¹:

    Anhui, China
  • 最大サイズ:

    Dia100mm
  • オリエンテーション:

    <0001>ã€<10-10>
  • パッケージ:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • 製å“ã®è©³ç´°

  • 仕様

  • プロセスフロー

  • 包装

  • 交通手段

  • よãã‚る質å•

2インãƒè‡ªç«‹åž‹ã‚¬ãƒ³ã‚¦ã‚§ãƒ¼ãƒä»•様


アイテム

仕様

çµæ™¶ä»•様

生産(pgrade)

研究(rgrade)

ダミー(グレード)

çµæ™¶åž‹

å˜çµæ™¶

オリエンテーション

(0 0 0 1)gaface

m軸ã«å‘ã‹ã†cé¢ã‚ªãƒ•角度

0.5°±0.15°

a軸ã«å‘ã‹ã†cå¹³é¢ã®ã‚ªãƒ•角度

0°±0.15°

(002)FWHM

<100ç§’è§’

(102)fwhm

<100ç§’è§’

æ›²çŽ‡ã®æ ¼å­åŠå¾„

> 10 m(80ï¼…xdiameterã§æ¸¬å®šï¼‰




電気的仕様

ドーピングè¦ç´ 

室温抵抗率(300k)

n型(シリコン)

≤0.02ohm-cm

uid

≤0.2ohm-cm

åŠçµ¶ç¸æ€§ï¼ˆã‚«ãƒ¼ãƒœãƒ³ï¼‰

> 1e8ohm-cm

形状仕様

メジャーフラットオリエンテーション

må¹³é¢ï¼ˆ10-10),±2°(st),±2°(

Q:ã‚ãªãŸã¯å•†ç¤¾ã§ã™ã‹ã€ãれã¨ã‚‚メーカーã§ã™ã‹ï¼Ÿ
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Q: サンプルをæä¾›ã—ã¦ã„ã¾ã™ã‹ï¼Ÿãれã¯ç„¡æ–™ã§ã™ã‹ã€ãれã¨ã‚‚追加ã§ã™ã‹ï¼Ÿ
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Q: ã‚ãªãŸã®æ”¯æ‰•ã„æ¡ä»¶ã¯ä½•ã§ã™ã‹ï¼Ÿ
支払ㄠ支払人>u003d5000USD,事å‰ã«80ï¼…T /T,出è·å‰ã®æ®‹é«˜.
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関連製å“
GaN substrate
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GaSb CRYSTAL
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SiC CRYSTAL
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InAs CRYSTAL
中国ã®ã‚«ã‚¹ã‚¿ãƒ ãƒ¡ã‚¤ãƒ‰ã®ãƒ’化インジウムInAså˜çµæ™¶åŸºæ¿ãƒ¡ãƒ¼ã‚«ãƒ¼
InAså˜çµæ™¶åŸºæ¿ã¯ã€InAsSb / In-AsPSbã€InNAsSbã€ãŠã‚ˆã³ãã®ä»–ã®ãƒ˜ãƒ†ãƒ­æŽ¥åˆææ–™ã‚’æˆé•·ã•ã›ã¦ã€2〜14μmã®æ³¢é•·ã®èµ¤å¤–線発光デãƒã‚¤ã‚¹ã‚’製造ã§ãã¾ã™ã€‚
InP CRYSTAL
中国ã®ã‚«ã‚¹ã‚¿ãƒ ãƒ¡ã‚¤ãƒ‰ãƒªãƒ³åŒ–インジウムInPå˜çµæ™¶åŸºæ¿ãƒ¡ãƒ¼ã‚«ãƒ¼
InPå˜çµæ™¶ææ–™ã¯ã€InPベースã®ãƒ¬ãƒ¼ã‚¶ãƒ¼ã‚’製造ã™ã‚‹ãŸã‚ã®é‡è¦ãªææ–™ã§ã™ã€‚ ダイオード (LD)
GaAs CRYSTAL
中国ã®ã‚«ã‚¹ã‚¿ãƒ ãƒ¡ã‚¤ãƒ‰ã‚¬ãƒªã‚¦ãƒ ãƒ’ç´ GaAså˜çµæ™¶åŸºæ¿ãƒ¡ãƒ¼ã‚«ãƒ¼
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中国ã®ã‚«ã‚¹ã‚¿ãƒ ãƒ¡ã‚¤ãƒ‰ã‚²ãƒ«ãƒžãƒ‹ã‚¦ãƒ Geå˜çµæ™¶åŸºæ¿ãƒ¡ãƒ¼ã‚«ãƒ¼
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